078 芯粒时代的来临

台积电通过整合3D Fabric技术平台，将后段先进封装工艺创新与前段SOIC芯片堆叠方案结合，推动了3D IC芯片堆叠技术的发展。其SOIC技术通过无突点设计和热处理互联工艺，实现高密度芯片堆叠，降低了信号传输功耗。电子设计自动化工具厂商如铿腾和明导已推出适配SOIC的解决方案，助力该技术商业化落地。
三星电子虽在2012年率先布局3D IC技术，但因传统工艺受突点尺寸限制，导致互联成本高、带宽不足。而IDM厂如英特尔面临生态限制，难以开放技术共享，逐渐落后于台积电。当前台积电在先进封装领域领先，三星和英特尔需突破技术瓶颈以应对竞争。
芯粒异构集成技术因对工艺节点要求较低，成为提升芯片功能密度的关键。超微、华为等企业联合台积电推动芯粒架构处理器量产，其市场规模预计从2018年的6亿美元增长至2035年的570亿美元。中国大陆可借助先进封装工艺创新弥补先进制程短板，通过异构集成替代方案突破技术封锁，提升集成芯片性能。
随着同构集成工艺逼近物理极限，摩尔定律延续路径逐渐依赖先进封装。台积电通过多裸片异构集成实现超高晶体管密度，如英特尔GPU集成47个裸片。蒋尚义认为，未来合成集成芯片将接近单一芯片性能，而台积电可能跨界拓展至存储器领域，进一步巩固行业地位。